-
1 чистый полупроводник
1) Engineering: intrinsic semiconductor2) Microelectronics: pure semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > чистый полупроводник
-
2 полупроводник
м. semiconductor -
3 чистый
1) actual
2) blank
3) clean
4) clear
5) fine
6) neat
7) net
8) plain
9) proper
10) pure
11) straight
– вес чистый
– выигрыш чистый
– доход чистый
– полупроводник чистый
– чистый болт
– чистый воздух
– чистый глицерин
– чистый доход
– чистый древостой
– чистый жир
– чистый известняк
– чистый изгиб
– чистый изотоп
– чистый каучук
– чистый кислород
– чистый кристалл
– чистый лист
– чистый нагрев
– чистый песок
– чистый сдвиг
технически чистый алюминий — commercially pure aluminum
химически чистый металл — chemically pure metal
чистый годовой доход — net revenue, net yearly profit
-
4 полупроводник
-
5 полупроводник
1) quasi-conductor
2) semi-conductor
3) semiconductor
– беспримесный полупроводник
– вырожденный полупроводник
– дырочный полупроводник
– легировать полупроводник
– монокристаллический полупроводник
– невырожденный полупроводник
– несобственный полупроводник
– объемный полупроводник
– одноэлементный полупроводник
– полупроводник примесный
– полупроводник с примесями
– полупроводник чистый
– светочувствительный полупроводник
– сложный полупроводник
– электронный полупроводник
вводить примесь в полупроводник — dope a semiconductor
внедрять ионы в полупроводник — implant ions in semiconductor
-
6 полупроводник чистый
Русско-английский технический словарь > полупроводник чистый
-
7 вырожденный полупроводник
Русско-английский новый политехнический словарь > вырожденный полупроводник
-
8 кристаллический полупроводник
Русско-английский новый политехнический словарь > кристаллический полупроводник
-
9 невырожденный полупроводник
Русско-английский новый политехнический словарь > невырожденный полупроводник
-
10 широкозонный полупроводник
Русско-английский новый политехнический словарь > широкозонный полупроводник
-
11 оптически чистый
-
12 диффузия примесей в полупроводниках
Русско-английский научный словарь > диффузия примесей в полупроводниках
-
13 бор
- boron
- B
бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
- B
- boron
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > бор
-
14 германий
германий
Ge
Элемент IV группы Периодич. системы; ат. н. 32, ат. м. 72,59; тв. вещ-во с металлич. блеском. Природный Ge — смесь пяти стабильных изотопов с массовыми числами 70, 72, 73, 74 и 76. Существование и свойства Ge предсказал в 1871 г. Д. И. Менделеев. В 1886 г. немец, химик К. Винклер обнаружил в минерале аргидите новый элемент, который назвал Ge в честь своей страны. Ge оказался вполне тождественен элементу, предсказанному Д. И. Менделеевым. Общее содержание Ge в земной коре 7 • 104 мае. %, т.е. больше, чем напр. Sb, Ag, Bi. Однако собств. минералы Ge встречаются исключит, редко. Осн. масса Ge рассеяна в земной коре в большом числе горных пород и минералов: в сульфидных рудах цв. металлов, в гранитах, диабазах и др.
Ge кристаллизуется в кубич. структуру типа алмаза, а = 0,56575 нм. Плотность уте = = 5,327 г/см3 (25 °С), уж = 5,557 г/см3 (1000 °С); tm= 937,5 °С; ^т * 2700 °С. Даже весьма чистый Ge хрупок при комн. темп-ре, но выше 550 °С поддается пластической деформации. Твердость Ge по минералогич. шкале 6—6,5. Ge — типичный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,104 • 10"" Дж или 0,69 эВ (при 25 °С); р0е (высокой чистоты) = 0,60 Ом • м (25 °С). В химич. соединениях Ge обычно проявляет валентности 2 и 4. При нагрев. на воздухе до 500-700 °С окисляется до GeO и GeO2. В пром. практике Ge получают преимущ. из побочных продуктов переработки руд цв. металлов, содержащих 0,001-0,1 % Ge. В кач-ве сырья используют также золы от сжигания угля, пыль газогенераторов, отходы коксохим. пр-ва. Ge - один из наиб, ценных материалов в соврем, полупроводниковой технике (диоды, триоды, и т.п.).
Перспективны многие сплавы Ge, стекла на основе GeO2 и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]
германий
Полупроводниковый материал.
[ http://www.morepc.ru/dict/]Тематики
Синонимы
- Ge
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > германий
См. также в других словарях:
чистый полупроводник — собственный полупроводник; отрасл. чистый полупроводник Полупроводник, не содержащий доноров и акцепторов … Политехнический терминологический толковый словарь
чистый полупроводник — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Automatikos terminų žodynas
чистый полупроводник — grynasis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Fizikos terminų žodynas
Собственный полупроводник — или полупроводник i типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic собственный) это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации… … Википедия
собственный полупроводник — собственный полупроводник; отрасл. чистый полупроводник Полупроводник, не содержащий доноров и акцепторов … Политехнический терминологический толковый словарь
grynasis puslaidininkis — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Automatikos terminų žodynas
pure semiconductor — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Automatikos terminų žodynas
reiner Halbleiter — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Automatikos terminų žodynas
semi-conducteur pur — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Automatikos terminų žodynas
grynasis puslaidininkis — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Fizikos terminų žodynas
pure semiconductor — grynasis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m … Fizikos terminų žodynas